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半导体激光器的发光原理是通过受激辐射产生光子，其结构主要由PN结组成，当PN结注入电流时，电子和空穴会注入到量子阱中，在能带间隙中形成动态平衡，当注入的载流子达到一定浓度后，受激辐射会占据主导地位，形成粒子数反转状态，发出激光，其核心发光机制在于通过电流直接注入半导体材料产生光辐射。
与激光屏相比，半导体激光器与激光屏在发光原理上有显著区别，激光屏主要由光学增益介质组成，其发光原理是通过外部激励（如电能）激发介质中的原子或分子，使其从低能级跃迁到高能级，然后返回低能级时释放光子形成激光，而半导体激光器则是通过半导体材料的电子和空穴的受激辐射产生激光，半导体激光器具有体积小、重量轻、可靠性高、功耗小等优势。
与LED相比，半导体激光器与LED在发光原理上也有明显不同，LED（发光二极管）是一种电致发光器件，其核心结构是一个PN结，但LED的发光原理是电子和空穴的复合自发辐射形成的光辐射效应，虽然LED和半导体激光器都使用半导体材料制造，但半导体激光器是通过受激辐射产生单色性更好的连续光波，而LED则是一种非相干光源，LED主要用于照明领域，而半导体激光器则广泛应用于通信、医疗等领域。
半导体激光器、激光屏和LED在发光原理上有明显的区别，其中半导体激光器通过受激辐射产生激光，激光屏通过外部激励激发介质产生激光，而LED则是通过电子和空穴的复合自发辐射形成光辐射效应，这些技术各有其特点和优势，适用于不同的应用领域。